Учусь в Уральском федеральном университете по направлению Нанотехнологии и микросистемная техника. Изучаю сенетоэлектрические кристаллы в лаборатории сегнетоэлектриков в Отделе оптоэлектоники и полупроводниковой техники. Помимо этого изучаю лазерное структурирование металлов и процессы капиллярного взаимодействия

Кинетика доменной структуры была изучена в монокристаллах RTA. Спонтанное обратное переключение начинается сразу после выключения импульса переключения. Показано, что с увеличением амплитуды импульса время переключения уменьшается, а время стабильности увеличивается. Выявлена сильная неоднородность переключения вдоль оси роста. Полученные результаты важны для развития методов доменной инженерии в монокристаллах семейства KTP для создания нового поколения эффективных нелинейно-оптических элементов для преобразования частоты лазерного излучения.

The kinetics of the domain structure has been studied in RTA single crystals. Spontaneous backswitching starts immediately after the switching pulse is turned off. It is shown that with increasing pulse amplitude the switching time decreases and the stability time increases. A strong inhomogeneity of switching along the growth axis is revealed. The obtained results are important for the development of domain engineering methods in single crystals of the KTP family to create a new generation of effective nonlinear optical elements for laser frequency conversion.